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SiC晶体材料的应用和制备技术探讨

近年来,SiC晶体材料在半导体、光电子和能源领域得到广泛应用,其中8英寸SiC、6英寸SiC等高纯度晶圆成为关键材料。SiC晶体锭作为高纯度SiC晶体的基础,具有优良的热学性能和电学性能,适用于高温高频电子器件的制备。SiC外延晶圆片则广泛应用于光电子器件的生产,其高纯度和高结晶质量保证了器件性能的稳定性。6毫米SiC晶圆作为SiC晶体制备的重要载体,提供了...

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探索新材料:超导薄膜单晶衬底的制备与应用

在当今科技发展的浪潮中,新材料的研究和应用日益受到重视。氧化镁晶体、铝酸镁晶体、多晶铝酸镁、氧化镁单晶等材料因其特殊的物理性质备受关注。近年来,超导薄单晶基板和超导薄膜单晶衬底作为一种新型材料,被广泛应用于超导领域。其中,氧化镁(MgO)晶体基板作为一种优质的基板材料,具有优异的绝缘性能和化学稳定性,被认为是制备超导薄膜单晶衬底的理想选择。通过研究氧化镁晶体...

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4H-N型/高纯SiC晶圆的应用与特点

4H-N型/高纯SiC晶圆是一种在半导体产业中广泛应用的关键材料,其主要应用于功率电子、光电子、射频微波和高温传感器等领域。根据直径不同,可以分为2英寸、3英寸、4英寸和6英寸的4H-N型SiC晶圆。这些晶圆具有优异的热导率、耐高温性能和化学稳定性,适用于高功率、高频率和高温环境下的应用。2英寸4HN型SiC晶圆适用于小功率器件的制备,3英寸4HN型SiC晶...

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